Els díodes emissors de llum són dispositius emissors de llum utilitzats habitualment que emeten energia mitjançant la recombinació d'electrons i forats per emetre llum.Són molt utilitzats en el camp de la il·luminació.[1] Els díodes emissors de llum poden convertir de manera eficient l'energia elèctrica en energia lluminosa i tenen una àmplia gamma d'usos a la societat moderna, com ara il·luminació, pantalles de pantalla plana i dispositius mèdics.[2]

Aquest tipus de components electrònics van aparèixer ja l'any 1962. En els primers temps, només podien emetre llum vermella de baixa lluminància.Més tard, es van desenvolupar altres versions monocromàtiques.La llum que es pot emetre avui s'ha estès a la llum visible, infraroja i ultraviolada, i la lluminositat també ha augmentat considerablement.La lluminositat.L'ús també s'ha utilitzat com a llums indicadors, panells de visualització, etc.;Amb l'avenç continu de la tecnologia, els díodes emissors de llum s'han utilitzat àmpliament en pantalles i il·luminació.

Igual que els díodes ordinaris, els díodes emissors de llum es componen d'una unió PN i també tenen conductivitat unidireccional.Quan s'aplica la tensió directa al díode emissor de llum, els forats injectats de l'àrea P a l'àrea N i els electrons injectats de l'àrea N a l'àrea P estan en contacte respectivament amb els electrons de l'àrea N i els buits. a la zona P a unes poques micres de la unió PN.Els forats es recombinen i produeixen fluorescència d'emissió espontània.Els estats energètics dels electrons i els forats en diferents materials semiconductors són diferents.Quan els electrons i els forats es recombinen, l'energia alliberada és una mica diferent.Com més energia alliberada, més curta serà la longitud d'ona de la llum emesa.S'utilitzen habitualment els díodes que emeten llum vermella, verda o groga.La tensió de ruptura inversa del díode emissor de llum és superior a 5 volts.La seva corba característica volt-ampere directe és molt pronunciada i s'ha d'utilitzar en sèrie amb una resistència limitadora de corrent per controlar el corrent a través del díode.

La part central del díode emissor de llum és una hòstia composta per un semiconductor de tipus P i un semiconductor de tipus N.Hi ha una capa de transició entre el semiconductor de tipus P i el semiconductor de tipus N, que s'anomena unió PN.A la unió PN de certs materials semiconductors, quan els portadors minoritaris injectats i els portadors majoritaris es recombinen, l'excés d'energia s'allibera en forma de llum, convertint així directament l'energia elèctrica en energia lluminosa.Amb tensió inversa aplicada a la unió PN, és difícil injectar portadors minoritaris, de manera que no emet llum.Quan es troba en un estat de treball positiu (és a dir, s'aplica una tensió positiva als dos extrems), quan el corrent flueix de l'ànode LED al càtode, el cristall semiconductor emet llum de diferents colors des de l'ultraviolat fins a l'infraroig.La intensitat de la llum està relacionada amb el corrent.